Tranzystory piezoelektryczne na problemy z krzemem

Ciekawy pomysł na rozwiązanie, które zastąpi docierającą do granic swoich fizycznych możliwości technologię produkcji tranzystorów i układów scalonych CMOS, mają badacze z uniwersytetów w Edynburgu i w Auburn oraz IBM i amerykańskiego Narodowego Laboratorium Fizycznego. Polega on na wykorzystaniu „tranzystora piezoelektrycznego” (PET).

Projekt, który na razie jest w fazie koncepcji i został opisany w periodyku naukowym „Applied Physics Letters”, polega na zmianie właściwości materiału z izolatora w metaliczny przewodnik pod wpływem przyłożonego ciśnienia. Autorzy publikacji wskazują przede wszystkim na wielką różnicę w konsumpcji energii pomiędzy PET a CMOS, na korzyść tej pierwszej techniki, rzecz jasna.

Tranzystory oparte na zjawiskach piezoelektrycznych to nie nowość. Pięć lat temu media donosiły o osiągnięciach zespołu profesora Zhong Lin Wanga z Georgia Institute of Technology, który wykorzystał je do przeprowadzania operacji logicznych. Powstały wówczas systemy mikro-elektromechaniczne, w których wytwarzano pole elektryczne kontrolujące pracę tranzystorów polowych. Piezo-tranzystory pracowały podobnie do tradycyjnych, z tą jednak różnicą, że pole elektryczne było generowane przez zginanie nanoprzewodów z tlenku cynku.