Tranzystor ferroelektryczny o olśniewających możliwościach

Fizycy z MIT stworzyli tranzystor wykorzystujący materiał ferroelektryczny, który przewyższa obecne standardy znane w branży. Cechuje się między innymi nadzwyczajną prędkością przełączeniową, mierzoną w nanosekundach i zachowuje trwałość, bez oznak degradacji po stu miliardach cykli pracy.

Najbardziej godną uwagi zdolnością tego nowego tranzystora jest szybkość, z jaką może on zmieniać swój stan. Obecna technologia tranzystorowa przełącza stany w czasie setek nanosekund. Zastosowanie nowego materiału skraca potencjalnie ten czas wielokrotnie. Ma to kluczowe znaczenie dla przetwarzania w układach, np. sztucznej inteligencji, które wymagają coraz większej ilości danych do przetworzenia i znacznie większej wydajności niż oferują tradycyjne układy scalone. Materiał pozwala również potencjalnie upakować układy gęściej niż znane półprzewodniki. Oprócz uzyskania większej wydajności w przeliczeniu na powierzchnię, dać to może wyższą efektywność energetyczną.

Stosowane obecnie dyski SSD mają ograniczoną żywotność. Tranzystor opracowany na Massachusetts Institute of Technology nie wykazał żadnych oznak degradacji nawet po stu miliardach przełączeń, co potencjalnie stanowi alternatywę dla używanych obecnie technik pamięci flash. Jednak przed nową techniką jeszcze długa droga, np. opracowanie ekonomicznych metod produkcji nowego materiału na skalę podobna do wafli krzemowych.

Źródło: tomshardware.com, Fot. Adobe Stock

Mirosław Usidus