Litografia na waflach krzemowych
Dotychczasowo wykorzystywane promieniowanie o długości fali 193 nanometry, nie jest w stanie „wyryć” w krzemie już nic mniejszego niż 28 nanometrów. Zatem pojawiła się fizyczna bariera w miniaturyzacji chipów, którą obecnie przekroczyć ma „ekstremalny ultrafiolet” o długości fali 124 nm i niższej nawet do 10 nm. Oczywiście, już wcześniej wiedziano, że zmniejszenie długości fali może mieć taki efekt, ale nie udawało się zbudować źródła promieni UV o takiej mocy, aby produkcja układów była możliwa.
Nowe urządzenie, zbudowane przez firmę ASML, na razie o mocy 80 W, a planowanej w przyszłym roku do – 250 W. Przy takiej mocy można osiągnąć wydajność 125 „wyrzeźbionych” krzemowych wafli na godzinę. Nie jest to jeszcze zgodne z wymaganiami Intela, który chce, aby takie urządzenie miało 1000 W, co uczyniłoby jego wydajność podobną do obecnych linii produkcyjnych.
