Samsung wprowadza potężny i energooszczędny układ pamięci DDR5

Samsung Electronics poinformował o opracowaniu modułu pamięci DDR5 pojemności 512 GB. Jest to pierwsza jednostka DRAM firmy wykonana w najnowszym standardzie DDR5, który został ustalony przez JEDEC Solid State Technology Association w lipcu ubiegłego roku. Sprzęt wyprodukowany w technologii high-k metal gate (HKMG), oferuje prędkość transferu danych do 7200 Mb/s, czyli ponad dwukrotnie więcej niż DDR4.

Firma zastosowała osiem warstw układów DRAM 16 Gb/s w celu skonstruowania tego modułu. Według południowokoreańskiego giganta technologicznego, zastosowanie technologii HKMG zamiast tradycyjnego tlenku krzemu w warstwie izolacyjnej, pozwala zmniejszyć prąd upływu, względem wcześniejszych typów układów pamięci. Pozwala to również nowej pamięci zużywać około 13% mniej energii niż w poprzednich układach, co zdaniem firmy, czyni ją szczególnie atrakcyjną dla centrów danych.

Samsung zaczął stosować technologię HKMG do swoich produktów pamięciowych jeszcze w 2018 roku. Począwszy od zeszłego roku, zaczął również wykorzystywać proces ekstremalnego napromieniowywania ultrafioletowego w procesach produkcji DRAM. Przy okazji premiery rekordowego układu pamięci przedstawiciele amerykańskiego Intela poinformowali, że ściśle współpracują z Samsungiem w celu dostarczenia pamięci DDR5, która jest zoptymalizowana pod kątem wydajności i kompatybilna z nadchodzącymi procesorami Intel Xeon Scalable, o nazwie kodowej Sapphire Rapids.

Źródło: www.zd.net/3vYD08O

Mirosław Usidus

Zobacz także:

Robert Noyce - Twórca krzemowej elektroniki
Schyłek ery kamienia trawionego?